一種7腔體臥式HWCVD-PVD一體化硅片鍍膜工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810943424.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110835738A 公開（公告）日 2020-02-25
申請公布號 CN110835738A 申請公布日 2020-02-25
分類號 C23C14/08;C23C14/35;C23C14/56;C23C16/24;C23C16/46;C23C16/54;H01L21/67;H01L31/20 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黃振;黃海賓;周浪;彭德香;任棟梁;劉超 申請（專利權(quán)）人 中智（泰興）電力科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 225400 江蘇省泰州市泰興市城東高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)科創(chuàng)路西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種7腔體臥式HWCVD?PVD一體化硅片鍍膜工藝，預(yù)加熱上料腔體、本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體、摻雜非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體、第一、二、三TCO薄膜沉積PVD腔體和下料腔體通過真空鎖依次連接且頭尾設(shè)置真空鎖，一移動(dòng)裝置由前至后穿接各腔體和真空鎖，預(yù)加熱上料腔體內(nèi)設(shè)臥式載板，臥式載板設(shè)置于移動(dòng)裝置上呈在本一體化設(shè)備中由前至后可移動(dòng)狀態(tài)，第二TCO薄膜沉積PVD腔體內(nèi)設(shè)濺射靶，上述各個(gè)腔體外接超純氣路、加熱系、抽真空系統(tǒng)。能有效避免產(chǎn)品制備過程工序暴露于空氣，提升晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的性能，降低其生產(chǎn)成本。