用于太陽電池制造的7腔體立式PECVD-PVD一體化設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810938146.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110838529A 公開（公告）日 2020-02-25
申請公布號(hào) CN110838529A 申請公布日 2020-02-25
分類號(hào) H01L31/18;H01L21/67;C23C16/50;C23C16/24;C23C16/54;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/56 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃振;黃海賓;周浪;彭德香;任棟梁;劉超 申請（專利權(quán)）人 中智（泰興）電力科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京知識(shí)律師事務(wù)所 代理人 張斌
地址 225400 江蘇省泰州市泰興市城東高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)科創(chuàng)路西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種用于太陽電池制造的7腔體立式PECVD?PVD一體化設(shè)備，真空預(yù)加熱上料腔體、本征非晶硅薄膜沉積PECVD腔體、摻雜非晶硅薄膜沉積PECVD腔體、第一、二、三TCO薄膜沉積PVD腔體和下料腔體通過真空鎖依次連接且頭尾設(shè)置真空鎖，一移動(dòng)裝置由前至后穿接各腔體和真空鎖，真空預(yù)加熱上料腔體內(nèi)設(shè)立式載板，立式載板設(shè)置于移動(dòng)裝置上呈在本一體化設(shè)備中由前至后可移動(dòng)狀態(tài)，第二TCO薄膜沉積PVD腔體內(nèi)設(shè)濺射靶，上述各個(gè)腔體外接超純氣路、加熱系、抽真空系統(tǒng)。能有效避免產(chǎn)品制備過程工序暴露于空氣，提升晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的性能，降低其生產(chǎn)成本。