一種7腔體臥式PECVD-PVD一體化硅片鍍膜工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810943423.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110835737A 公開（公告）日 2020-02-25
申請公布號 CN110835737A 申請公布日 2020-02-25
分類號 C23C14/08;C23C14/35;C23C14/56;C23C16/24;C23C16/46;C23C16/54;H01L21/67;H01L31/20 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黃振;黃海賓;周浪;彭德香;任棟梁;劉超 申請（專利權）人 中智（泰興）電力科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 225400 江蘇省泰州市泰興市城東高新技術產(chǎn)業(yè)園區(qū)科創(chuàng)路西側
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種7腔體臥式PECVD?PVD一體化硅片鍍膜工藝，真空預加熱上料腔體、本征非晶硅薄膜沉積PECVD腔體、摻雜非晶硅薄膜沉積PECVD腔體、第一、二、三TCO薄膜沉積PVD腔體和下料腔體通過真空鎖依次連接且頭尾設置真空鎖，一移動裝置由前至后穿接各腔體和真空鎖，真空預加熱上料腔體內設臥式載板，臥式載板設置于移動裝置上呈在本一體化設備中由前至后可移動狀態(tài)，第二TCO薄膜沉積PVD腔體內設濺射靶，上述各個腔體外接超純氣路、加熱系、抽真空系統(tǒng)。能有效避免產(chǎn)品制備過程工序暴露于空氣，提升晶體硅異質結太陽電池的性能，降低其生產(chǎn)成本。