7腔體立式PECVD-PVD一體化硅片鍍膜工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810943425.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110835739A 公開(kāi)（公告）日 2020-02-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN110835739A 申請(qǐng)公布日 2020-02-25
分類號(hào) C23C14/08;C23C14/35;C23C14/56;C23C16/24;C23C16/46;C23C16/54;H01L21/67;H01L31/20 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黃振;黃海賓;周浪;彭德香;任棟梁;劉超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中智（泰興）電力科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 225400 江蘇省泰興市城東高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)科創(chuàng)路西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種7腔體立式PECVD?PVD一體化硅片鍍膜工藝，真空預(yù)加熱上料腔體、本征非晶硅薄膜沉積PECVD腔體、摻雜非晶硅薄膜沉積PECVD腔體、第一、二、三TCO薄膜沉積PVD腔體和下料腔體通過(guò)真空鎖依次連接且頭尾設(shè)置真空鎖，一移動(dòng)裝置由前至后穿接各腔體和真空鎖，真空預(yù)加熱上料腔體內(nèi)設(shè)立式載板，立式載板設(shè)置于移動(dòng)裝置上呈在本一體化設(shè)備中由前至后可移動(dòng)狀態(tài)，第二TCO薄膜沉積PVD腔體內(nèi)設(shè)濺射靶，上述各個(gè)腔體外接超純氣路、加熱系、抽真空系統(tǒng)。能有效避免產(chǎn)品制備過(guò)程工序暴露于空氣，提升晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的性能，降低其生產(chǎn)成本。