一種聚光鈣鈦礦太陽能電池中鈣鈦礦材料層的制備方法及應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111465638.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113889574B | 公開(公告)日 | 2022-03-22 |
申請公布號 | CN113889574B | 申請公布日 | 2022-03-22 |
分類號 | H01L51/00(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 熊繼光;李衛(wèi)東;趙志國;劉家梁;李夢潔;趙東明;秦校軍;張赟;夏淵;黃斌;申建汛;張杰 | 申請(專利權(quán))人 | 華能新能源股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 劉穎 |
地址 | 102209北京市昌平區(qū)北七家未來科技城華能人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)基地實驗樓A樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請公開了一種聚光鈣鈦礦太陽能電池中鈣鈦礦材料層的制備方法及應(yīng)用,制備方法包括:S1、由溶質(zhì)、溶劑配置得到第一鈣鈦礦溶液,溶質(zhì)包括前驅(qū)體材料或其鈣鈦礦單晶,及第一納米導(dǎo)電粒子;S2、將S1得到的第一鈣鈦礦溶液濕法成膜,進行退火處理,退火溫度為100?150℃,時間為10?30min,形成第一鈣鈦礦結(jié)晶層,其厚度為100?300nm,且晶界處具有通道;S3、在S2得到的第一鈣鈦礦結(jié)晶層表面形成用于防止電荷復(fù)合的阻隔層;S4、在S3形成的阻隔層上采用第二鈣鈦礦溶液形成第二鈣鈦礦結(jié)晶層,其厚度小于第一鈣鈦礦結(jié)晶層,晶界處也具有通道。由本發(fā)明制備的鈣鈦礦材料層制成聚光鈣鈦礦太陽能電池,器件效率較高。 |
