在半導體互連結構上沉積金屬層的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200380105587.2 申請日 -
公開（公告）號 CN1947236A 公開（公告）日 2007-04-11
申請公布號 CN1947236A 申請公布日 2007-04-11
分類號 H01L21/768(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 桑德拉·馬霍特拉;安德魯·西蒙 申請（專利權）人 上海佑磁信息科技有限公司
代理機構 北京市金杜律師事務所 代理人 朱海波
地址 上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)蘆安路116號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于在半導體晶片的互連結構上沉積金屬層的方法。在該方法中，金屬導體由介電層覆蓋。構圖介電層以暴露金屬導體。然后襯里層沉積在圖形上。然后氬濺射刻蝕該襯里層以去除襯里層并露出金屬導體。在氬濺射刻蝕工藝中，襯里層重新沉積在圖形的側壁上。最后，附加層沉積在圖形中并且覆蓋重新沉積的襯里層。