一種支柱型深溝槽電容器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010774664.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111864065A | 公開（公告）日 | 2020-10-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111864065A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-30 |
| 分類號(hào) | H01L49/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 麥志洪;洪錦文;孫曉龍;盧輝;何邦方;范中華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海佑磁信息科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 江蘇坤象律師事務(wù)所 | 代理人 | 趙新民 |
| 地址 | 200120上海市浦東新區(qū)晨暉路1000號(hào)W2座203 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于硅襯底支柱結(jié)構(gòu)提高電容量的深溝槽電容及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，在所述襯底結(jié)構(gòu)中心區(qū)域形成有多個(gè)支柱結(jié)構(gòu)，所述支柱結(jié)構(gòu)之間、支柱結(jié)構(gòu)與襯底側(cè)壁之間外表面之間形成深溝槽。本發(fā)明在現(xiàn)有硅基襯底上形成多個(gè)支柱型結(jié)構(gòu)，支柱型結(jié)構(gòu)外表面之間以及支柱型結(jié)構(gòu)外表面與襯底側(cè)壁之間形成深溝槽，大幅增加了電容器的表面積，從而大幅提高電容量。?? |
