一種鈦硅合金靶材及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010154164.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111136265A 公開（公告）日 2020-05-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN111136265A 申請(qǐng)公布日 2020-05-12
分類號(hào) B22F3/04;B22F3/15;C22C1/05;C22C1/10;C22C14/00;C23C14/34;C23C14/35 分類 鑄造；粉末冶金;
發(fā)明人 張鳳戈;李建奎;魏鐵峰;張欠男;繆磊;張學(xué)華;岳萬(wàn)祥 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 涿州安泰六九新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京五洲洋和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京安泰六九新材料科技有限公司;涿州安泰六九新材料科技有限公司
地址 100081 北京市海淀區(qū)學(xué)院南路76號(hào)17幢一層101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鈦硅合金靶材及制造方法，屬于合金靶材制備領(lǐng)域。該方法包括：合金粉末制備步驟，將鈦源和硅源混料制成合金粉末；冷等靜壓步驟，對(duì)所述合金粉末進(jìn)行冷等靜壓處理，得到壓坯；脫氣步驟，對(duì)所述壓坯進(jìn)行脫氣處理；熱等靜壓步驟，對(duì)所述脫氣處理后的壓坯進(jìn)行熱等靜壓處理，得到鈦硅合金靶材。鈦硅合金靶材具有致密度高、合金化程度高，無(wú)氣孔和偏析，組織均勻，晶粒細(xì)小等優(yōu)點(diǎn)，相對(duì)密度超過(guò)99％，平均晶粒尺寸不大于100μm。