一種強化引晶溫度信號的籽晶

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620209347.1 申請日 -
公開（公告）號 CN205590831U 公開（公告）日 2016-09-21
申請公布號 CN205590831U 申請公布日 2016-09-21
分類號 C30B11/14(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬遠(yuǎn);薛衛(wèi)明;邱一豇;吳勇;周健杰 申請（專利權(quán)）人 江蘇中電振華晶體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京一格知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 滑春生
地址 226500 江蘇省南通市如皋市如城鎮(zhèn)海陽南路（南延）1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種強化引晶溫度信號的籽晶，用于從下向上進行定向晶體生長，所述籽晶為籽晶上半部分的截面積大于籽晶下半部分的截面積結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是通過一圓柱形籽晶加工而成，所述圓柱形籽晶的上半部分保持不變，在圓柱形籽晶的下半部分以傾斜1～15°的角度平面切割去除部分材料，且籽晶的切割面為平面。本實用新型的優(yōu)點在于：這種結(jié)構(gòu)的籽晶，可獲得明顯的引晶溫度信號，同時盡可能小的多晶生成區(qū)減少了引晶成多晶的可能性。