一種成型藍寶石晶體的生長方法及設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210037678.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103255477B 公開（公告）日 2016-10-19
申請公布號 CN103255477B 申請公布日 2016-10-19
分類號 C30B29/20(2006.01)I;C30B15/34(2006.01)I;C30B15/28(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 維塔利·塔塔琴科;劉一凡;帕維爾·斯萬諾夫;李東振;王東海;陳文淵;朱枝勇;牛沈軍 申請（專利權(quán)）人 江蘇中電振華晶體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京一格知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 滑春生
地址 226500 江蘇省如皋市如城鎮(zhèn)海洋南路（南延）1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種成型藍寶石晶體的生長方法及設(shè)備，所述設(shè)備包括晶體生長爐、加熱器、坩堝、內(nèi)坩堝、稱重系統(tǒng)；坩堝內(nèi)設(shè)置所述內(nèi)坩堝，內(nèi)坩堝上部有一根細管，起到毛細管的作用，用以獲得一個高于自由液面的小界面，以便于引晶；內(nèi)坩堝放在藍寶石料上，保證內(nèi)坩堝上的細管和籽晶的同軸度；細管處為冷心的位置，隨著溫度的下降，晶體開始生長；由稱重系統(tǒng)精確控制晶體生長的速率，待內(nèi)坩堝下的熔體幾乎全部結(jié)晶后，提拉結(jié)晶體，內(nèi)坩堝上部的熔體下降到坩堝底部，繼續(xù)結(jié)晶。本發(fā)明可制得近圓柱狀的藍寶石晶體，生長出的晶體質(zhì)量優(yōu)異、應(yīng)力小、位錯密度低、晶體完整性和光學(xué)均勻性好，可以提高藍寶石材料的利用率、簡化加工程序、易于產(chǎn)業(yè)化。