一種MIM電容及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510415355.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105070707B 公開(kāi)（公告）日 2018-01-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN105070707B 申請(qǐng)公布日 2018-01-02
分類號(hào) H01L23/522(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬遠(yuǎn);吳勇;周健杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇中電振華晶體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江蘇中電振華晶體技術(shù)有限公司;江蘇振華新云電子有限公司
地址 226500 江蘇省南通市如皋市如城鎮(zhèn)海陽(yáng)南路（南延）1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種MIM電容，包括襯底，所述襯底為一藍(lán)寶石單晶晶片，在其上表面和下表面均依次沉積有過(guò)渡層和金屬層；一種上述MIM電容的制造方法，所述方法步驟具體如下：（1）將藍(lán)寶石晶體通過(guò)單線切割或掏料鉆鉆取的方式加工成單晶晶棒；（2）將單晶晶棒在多線切割機(jī)上切割加工成單晶晶片；（3）將單晶晶片清洗干凈后作為沉積襯底，在襯底兩面先沉積過(guò)渡層；（4）再在過(guò)渡層的基礎(chǔ)上沉積金屬層；（5）以金屬層作為電極，引出接線端；（6）完成上述MIM電容的封裝。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：藍(lán)寶石作為介質(zhì)材料，電阻率高、介電損耗小，抗電強(qiáng)度高；單晶結(jié)構(gòu)一致使抗電強(qiáng)度Ep在材料內(nèi)的分布均勻性非常好，沒(méi)有擊穿風(fēng)險(xiǎn)，提高了MIM電容的穩(wěn)定性。