一種IGBT過流保護(hù)方法和裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201710136181.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN107094007B | 公開(公告)日 | 2017-08-25 |
申請公布號 | CN107094007B | 申請公布日 | 2017-08-25 |
分類號 | H03K17/082(2006.01)I;H03K17/567(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 賀之淵;白建成;客金坤;許航宇;楊衛(wèi)剛;馮靜波;池浦田 | 申請(專利權(quán))人 | 北京聯(lián)研國芯技術(shù)有限責(zé)任公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司;國家電網(wǎng)有限公司;國網(wǎng)浙江省電力公司;北京聯(lián)研國芯技術(shù)有限責(zé)任公司;國網(wǎng)浙江省電力有限公司 |
地址 | 102209北京市昌平區(qū)未來科技城濱河大道18號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種IGBT過流保護(hù)方法和裝置,該方法包括:實(shí)時(shí)獲取所述IGBT開通后的集射電壓;根據(jù)預(yù)存的保護(hù)電壓與時(shí)間曲線獲取當(dāng)前時(shí)刻的保護(hù)電壓;判斷當(dāng)前時(shí)刻實(shí)時(shí)獲取的所述集射電壓是否大于或等于當(dāng)前時(shí)刻的所述保護(hù)電壓;當(dāng)所述集射電壓大于或等于所述保護(hù)電壓時(shí),觸發(fā)所述IGBT驅(qū)動保護(hù)。由此,實(shí)現(xiàn)了根據(jù)時(shí)間(時(shí)間對應(yīng)IGBT的工作階段)設(shè)置相應(yīng)的保護(hù)電壓,從而在快速保護(hù)的同時(shí)保證了檢測的可靠性。?? |
