一種NPN型橫向SOIAlGaN/SiHBT器件結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202020083895.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211743162U | 公開（公告）日 | 2020-10-23 |
| 申請公布號 | CN211743162U | 申請公布日 | 2020-10-23 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李邁克 | 申請（專利權(quán)）人 | 中合博芯（重慶）半導體有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 重慶信航知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 穆祥維 |
| 地址 | 401573重慶市合川區(qū)信息安全產(chǎn)業(yè)城草街街道嘉合大道500號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型提供一種NPN型橫向SOI AlGaN/Si HBT器件結(jié)構(gòu)，包括N型輕摻雜半絕緣單晶硅襯底，N型輕摻雜半絕緣單晶硅襯底表面形成有埋氧層，埋氧層表面從左至右形成有厚度相同而寬度不同的發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)里從下至上淀積有SiON氧化層和N型摻雜AlGaN層，基區(qū)里生長有摻雜濃度從左至右由大到小漸變的P型重摻雜Si層，發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)表面用金屬硅化物對應(yīng)生長有發(fā)射極、基極和集電極的電極引出層，相鄰電極區(qū)域之間通過隔離氧化層絕緣隔離。本申請能提高AlGaN層的界面特性和基區(qū)電子遷移率，減小基區(qū)渡越時間，提高器件頻率使頻率特性更加優(yōu)良，同時金屬硅化物層還能提高器件開關(guān)速度和截止頻率。?? |
