一種NPN型橫向SOI AlGaN/Si HBT器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010042610.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111106164A 公開（公告）日 2020-05-05
申請公布號 CN111106164A 申請公布日 2020-05-05
分類號 H01L29/06;H01L29/267;H01L29/36;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/737;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李邁克 申請（專利權(quán)）人 中合博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 重慶信航知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 穆祥維
地址 401573 重慶市合川區(qū)信息安全產(chǎn)業(yè)城草街街道嘉合大道500號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種NPN型橫向SOI AlGaN/Si HBT器件結(jié)構(gòu)，包括N型輕摻雜半絕緣單晶硅襯底，N型輕摻雜半絕緣單晶硅襯底表面形成有埋氧層，埋氧層表面從左至右形成有厚度相同而寬度不同的發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)里從下至上淀積有SiON氧化層和N型摻雜AlGaN層，基區(qū)里生長有摻雜濃度從左至右由大到小漸變的P型重摻雜Si層，發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)表面用金屬硅化物對應(yīng)生長有發(fā)射極、基極和集電極的電極引出層，相鄰電極區(qū)域之間通過隔離氧化層絕緣隔離。本申請還提供一種前述器件結(jié)構(gòu)制備方法。本申請能提高AlGaN層的界面特性和基區(qū)電子遷移率，減小基區(qū)渡越時間，提高器件頻率使頻率特性更加優(yōu)良，同時金屬硅化物層還能提高器件開關(guān)速度和截止頻率。