一種NPN型橫向GaN/SiGe HBT器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010042636.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111129120A 公開（公告）日 2020-05-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN111129120A 申請(qǐng)公布日 2020-05-08
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/267;H01L29/36;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/737;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李邁克 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中合博芯（重慶）半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶信航知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 穆祥維
地址 401573 重慶市合川區(qū)信息安全產(chǎn)業(yè)城草街街道嘉合大道500號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種NPN型橫向GaN/SiGe HBT器件結(jié)構(gòu)，包括藍(lán)寶石襯底，藍(lán)寶石襯底表面形成有SiON氧化層，SiON氧化層表面從左至右形成有厚度相同而寬度不同的發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)里淀積有N型摻雜GaN層，基區(qū)里生長(zhǎng)有Ge組分從左至右逐漸變大的P型摻雜Si1?rGer層且0