一種用于半導(dǎo)體封裝的引線框架及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011525742.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112530896A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112530896A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-19 |
| 分類號(hào) | H01L23/495(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黎超豐;馮小龍;章新立;林淵杰;林杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 寧波康強(qiáng)電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 寧波市鄞州盛飛專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王玲華;洪珊珊 |
| 地址 | 315105浙江省寧波市鄞州投資創(chuàng)業(yè)中心金源路988號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于半導(dǎo)體封裝的引線框架及其制備方法。本發(fā)明的引線框架包括框架本體和電鍍層，所述框架本體的上表面具有若干微蝕槽，各微蝕槽內(nèi)均填充有上述電鍍層，所述電鍍層的厚度與微蝕槽的厚度相同。本發(fā)明的引線框架通過(guò)先微蝕后電鍍的方式，在框架本體上形成下凹的微蝕槽，使電鍍層形成于微蝕槽內(nèi)，通過(guò)微蝕和電鍍工藝的合理控制，既可減小引線框架的厚度，有利于半導(dǎo)體封裝的薄型化生產(chǎn)，還可起到保護(hù)電鍍層的作用，從而更好地保證可焊性和產(chǎn)品合格率。?? |
