用于封裝的引線框架、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011521988.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112530895A | 公開（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112530895A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-19 |
| 分類號(hào) | H01L23/495(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黎超豐;馮小龍;章新立;林淵杰;林杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 寧波康強(qiáng)電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 寧波市鄞州盛飛專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 王玲華;洪珊珊 |
| 地址 | 315105浙江省寧波市鄞州投資創(chuàng)業(yè)中心金源路988號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于封裝的引線框架、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。本發(fā)明的引線框架包括多個(gè)引線框架單元，相鄰兩個(gè)引線框架單元之間設(shè)置有凹形槽，且該凹形槽的開口方向?yàn)樨Q直向上。本發(fā)明先用酸性蝕刻液處理基板上表面去除引線框架單元之間的部分厚度，形成開凹形槽，再在塑封后用堿性蝕刻液去除基板剩余的金屬連接部，通過堿性蝕刻的工藝條件控制獲得理想的蝕刻效果，使得相鄰封裝單元之間僅通過塑封料連接，而無(wú)金屬連接，可實(shí)現(xiàn)在切割前進(jìn)行整體測(cè)試，簡(jiǎn)化單個(gè)封裝體的測(cè)試流程，提高產(chǎn)品檢測(cè)效率，同時(shí)避免引線框架的金屬材料對(duì)切割刀具的磨損，有助于延長(zhǎng)切割刀具使用壽命，減少生產(chǎn)成本。?? |
