一種超導(dǎo)磁體低溫容器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110744050.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113257513A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113257513A 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01F6/04（2006.01）I;H01F6/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張強;趙科權(quán);朱林炬;干明明;鄭杰;劉照泉;姚鳴生;姚海鋒 申請（專利權(quán)）人 寧波健信超導(dǎo)科技股份有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 溫可睿
地址 315301浙江省寧波市慈溪市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)高科大道427號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超導(dǎo)磁體低溫容器，包括主骨架、套設(shè)在所述主骨架外側(cè)的屏蔽骨架和套設(shè)在所述屏蔽骨架外側(cè)的外筒體，在所述外筒體兩端處，所述屏蔽骨架外側(cè)套設(shè)有屏蔽超導(dǎo)線圈，所述主骨架上繞設(shè)有主超導(dǎo)線圈，在所述外筒體與所述主骨架之間且位于所述屏蔽骨架兩端端部之間腔體中設(shè)置有填充部，所述屏蔽骨架外側(cè)與所述外筒體之間形成用于容納所述屏蔽超導(dǎo)線圈的外屏蔽空腔，所述屏蔽骨架內(nèi)側(cè)與所述主骨架之間形成用于容納所述主超導(dǎo)線圈的內(nèi)屏蔽空腔，所述填充部至少一側(cè)具有兩端分別連通所述外屏蔽空腔與所述內(nèi)屏蔽空腔的貫通通道。該超導(dǎo)磁體低溫容器能夠有效地解決超導(dǎo)磁體低溫容器中填入的液氦量很大的問題。