一種電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310451191.9 申請日 -
公開（公告）號 CN103489928A 公開（公告）日 2014-01-01
申請公布號 CN103489928A 申請公布日 2014-01-01
分類號 H01L29/92(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梅當(dāng)民;郭增良;李素杰 申請（專利權(quán)）人 北京中科微電子技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉杰
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路11號中國科學(xué)院微電子研究所綜合樓八層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及電容技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法，結(jié)構(gòu)包括：P型襯底、P型外延層、第一電極板、第二電極板、第三電極板、第一介質(zhì)層及第二介質(zhì)層，P型外延層設(shè)在P型襯底上方，第一電極板設(shè)在P型外延層上方；第二電極板設(shè)在第一電極板上方；第三電極板設(shè)在第二電極板上方；第一介質(zhì)層設(shè)置在第一電極板及第二電極板之間；第二介質(zhì)層設(shè)置在第二電極板及第三電極板之間。方法包括：生成P型外延層，形成第一電極板，在第一電極板上生長第一介質(zhì)層；在第一介質(zhì)層上形成第二電極板，在第二電極板上形成第二介質(zhì)層；在第二介質(zhì)層上形成第三電極板。本發(fā)明提供的電容器結(jié)構(gòu)及制造方法可有效地提高集成電路中電容器的單位面積容值。