一種電容器結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310451191.9 申請日 -
公開（公告）號 CN103489928A 公開（公告）日 2014-01-01
申請公布號 CN103489928A 申請公布日 2014-01-01
分類號 H01L29/92(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梅當民;郭增良;李素杰 申請（專利權）人 北京中科微電子技術有限公司
代理機構 北京華沛德權律師事務所 代理人 劉杰
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路11號中國科學院微電子研究所綜合樓八層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及電容技術領域，特別涉及一種電容器結構及其制造方法，結構包括：P型襯底、P型外延層、第一電極板、第二電極板、第三電極板、第一介質層及第二介質層，P型外延層設在P型襯底上方，第一電極板設在P型外延層上方；第二電極板設在第一電極板上方；第三電極板設在第二電極板上方；第一介質層設置在第一電極板及第二電極板之間；第二介質層設置在第二電極板及第三電極板之間。方法包括：生成P型外延層，形成第一電極板，在第一電極板上生長第一介質層；在第一介質層上形成第二電極板，在第二電極板上形成第二介質層；在第二介質層上形成第三電極板。本發(fā)明提供的電容器結構及制造方法可有效地提高集成電路中電容器的單位面積容值。