一種雙層偏振非制冷紅外探測器結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710331925.8 申請日 -
公開（公告）號 CN107117579A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN107117579A 申請公布日 2021-07-16
分類號 B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G01J4/04;G01J5/08;G01J5/20 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術〔7〕;
發(fā)明人 邱棟;楊水長;王鵬;王宏臣;陳文禮 申請（專利權）人 招商銀行股份有限公司煙臺分行
代理機構(gòu) 煙臺上禾知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉志毅
地址 264006 山東省煙臺市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)貴陽大街11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種雙層偏振非制冷紅外探測器結(jié)構(gòu)，包括半導體基座和探測器本體，所述探測器本體包括絕緣介質(zhì)層、金屬反射層、第一支撐層、金屬電極層、第一保護層、第二支撐層、電極金屬層、熱敏層和第二保護層，所述第一支撐層和絕緣介質(zhì)層之間形成第一諧振腔，所述第一保護層和第二支撐層之間形成第二諧振腔，所述電極金屬層上設有熱敏層，雙層結(jié)構(gòu)提高了像元的紅外吸收效率，在第二保護層上設有偏振結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)偏振敏感型紅外探測器的單片集成，而且極大的降低了光學設計的難度；還涉及上述探測器結(jié)構(gòu)的制備方法，包括制備雙層非制冷紅外探測器的步驟，還包括在雙層非制冷紅外探測器上制備偏振結(jié)構(gòu)的步驟。