一種用于單晶硅生產(chǎn)的整體燒制石英坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201520635812.3 申請日 -
公開（公告）號 CN204939661U 公開（公告）日 2016-01-06
申請公布號 CN204939661U 申請公布日 2016-01-06
分類號 C30B35/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 范玉華;李衛(wèi)濤;陳召強;趙學(xué)東 申請（專利權(quán)）人 寧晉昌隆電子材料制造有限公司
代理機構(gòu) 河北東尚律師事務(wù)所 代理人 王文慶
地址 055550 河北省邢臺市寧晉縣晶龍大街279號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種用于單晶硅生產(chǎn)的整體燒制石英坩堝。其從內(nèi)到外分為兩層；內(nèi)層的材質(zhì)為美國尤尼明公司生產(chǎn)的IOTA-CG標(biāo)準(zhǔn)高純石英砂，外層的材質(zhì)為國產(chǎn)石英砂，在燒制前只對內(nèi)層進(jìn)行抽真空處理，從而把其燒制成高密度、高硬度的透明層，其厚度為3mm～5mm，外層是厚度為5mm～10mm的不透明層。本實用新型在生產(chǎn)的過程中進(jìn)行分層處理，內(nèi)層和外層分別采用高等級和低等級材質(zhì)，并且在燒制前只對內(nèi)層進(jìn)行抽真空處理，從而使內(nèi)層滿足單晶硅生產(chǎn)過程中的質(zhì)量要求，外層對內(nèi)層起到保護(hù)和支撐的作用，同時降低了成本。