一種新型多路高壓采樣電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110099125.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112929019B 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN112929019B 申請公布日 2022-02-08
分類號 H03K19/0175（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 費(fèi)俊馳;劉三味;張軍;莊志偉 申請（專利權(quán)）人 無錫英迪芯微電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫華源專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 過顧佳;聶啟新
地址 214028江蘇省無錫市清源路18號530創(chuàng)業(yè)大廈C502
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型多路高壓采樣電路，涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，該電路包括若干個(gè)并聯(lián)的采樣通道，每個(gè)采樣通道基于四個(gè)場效應(yīng)管組構(gòu)建，每個(gè)場效應(yīng)管組分別包括兩個(gè)源端相連的NMOS管，兩個(gè)NMOS管的漏端分別作為場效應(yīng)管組的第一端和第二端，兩個(gè)NMOS管的柵端相連并作為場效應(yīng)管組的第三端；由于各個(gè)場效應(yīng)管組均由一個(gè)NMOS管的漏端連接高壓的待采樣信號，因此可以避免使用過程中高壓導(dǎo)致的器件被擊穿，從而提高電路的可靠性，為工業(yè)界半導(dǎo)體和汽車電子半導(dǎo)體領(lǐng)域的高壓采樣提供了有效的解決方法。