一種制作單晶硅太陽能雙面電池的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201210203759.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103515471A | 公開(公告)日 | 2014-01-15 |
申請公布號 | CN103515471A | 申請公布日 | 2014-01-15 |
分類號 | H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 郭文林;王建安;許琦;尹忠萍 | 申請(專利權(quán))人 | 上海宇兆能源科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 上??剖⒅R產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 上海宇兆能源科技有限公司 |
地址 | 201816 上海市嘉定區(qū)華亭鎮(zhèn)霜竹公路1281號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種制作單晶硅太陽能雙面電池的方法,通過表面結(jié)構(gòu)處理、磷擴散、硼擴散、刻蝕、PECVD沉積、印刷及燒結(jié)步驟,制作得到單晶硅太陽能雙面電池。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明制作得到的太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率有了顯著的提高,綜合前后兩面的總效率較單面電池片提高25~30%。 |
