一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110738481.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113501985A 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN113501985A 申請公布日 2021-10-15
分類號 C08J5/18（2006.01）I;C08L79/08（2006.01）I;C08L27/18（2006.01）I;C08G73/10（2006.01）I 分類 有機高分子化合物；其制備或化學(xué)加工；以其為基料的組合物;
發(fā)明人 徐哲;劉國隆;解惠東;邵成蒙 申請（專利權(quán)）人 浙江中科玖源新材料有限公司
代理機構(gòu) 合肥金律專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊霞
地址 321100浙江省金華市蘭溪市蘭江街道蘭溪經(jīng)濟開發(fā)區(qū)光膜小鎮(zhèn)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法，通過將芳香二胺與聚四氟乙烯分散液混合后，與脂肪族二酐進行聚合、亞胺化制備得到；所述聚四氟乙烯分散液包括聚四氟乙烯微粉、全氟烷基乙氧基硅烷、油性溶劑。本發(fā)明制備得到的聚酰亞胺薄膜具有較低的介電常數(shù)和介電損耗，能夠適用于撓性印制電路板在高頻下的傳輸要求。