一種陰陽離子共摻雜和表面雙包覆的高鎳單晶三元材料及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110891962.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113690399A 公開（公告）日 2021-11-23
申請公布號 CN113690399A 申請公布日 2021-11-23
分類號 H01M4/04;H01M4/1391;H01M4/131;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李文升;裴東;梁婷婷;許國峰;劉攀 申請（專利權(quán)）人 天津藍天太陽科技有限公司
代理機構(gòu) 天津市鼎和專利商標代理有限公司 代理人 張倩
地址 300384 天津市濱海新區(qū)濱海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)華科七路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種陰陽離子共摻雜和表面雙包覆的高鎳單晶三元材料及其制備方法，制備方法為：將高鎳三元前驅(qū)體、鋰源、金屬氟化物和含鋯化合物按比例混合均勻，得到混合物；將得到的混合物在氧氣氣氛中先低溫預燒再高溫煅燒，得到陰陽離子共摻雜的高鎳單晶三元材料基體；將得到的陰陽離子共摻雜的高鎳單晶三元材料基體經(jīng)過破碎、過篩得到單晶顆粒分散均勻的陰陽離子共摻雜的高鎳單晶三元材料基體；將得到的單晶顆粒分散均勻的陰陽離子共摻雜的高鎳單晶三元材料基體和含硼化合物、含鎢化合物混合均勻，在氧氣條件下進行煅燒，得到陰陽離子共摻雜和表面雙包覆的高鎳單晶三元材料。使高鎳單晶三元材料放電容量、循環(huán)性能、內(nèi)阻得到了明顯的改善。