半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光單元
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202022541708.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN214068749U | 公開(公告)日 | 2021-08-27 |
申請公布號 | CN214068749U | 申請公布日 | 2021-08-27 |
分類號 | H01L33/56(2010.01)I;H01L33/52(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 曹愛華;時軍朋;劉健;黃森鵬;陳順意;林秋霞;余長治 | 申請(專利權(quán))人 | 泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 | 代理人 | 史治法 |
地址 | 362343福建省泉州市南安市石井鎮(zhèn)院前村 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光單元,包括:基板;紫外LED芯片,貼置于所述基板上;第一含氟材料層,位于所述基板上,且覆蓋所述紫外LED芯片;透鏡,位于所述第一含氟材料層上,且位于所述紫外LED芯片的正上方;以及第二含氟材料層,位于所述第一含氟材料層上且至少覆蓋所述透鏡的部分。上述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)可以進一步提升半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的亮度從而滿足亮度要求;還能提升透鏡與含氟材料層的結(jié)合性,并且半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的一體性和亮度均得到進一步提升。 |
