半導(dǎo)體發(fā)光裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110537279.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113328024A 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN113328024A 申請公布日 2021-08-31
分類號 H01L33/48（2010.01）I;H01L33/60（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃兆武;余長治;楊立;鄢晨晞;李興龍;李陽 申請（專利權(quán)）人 泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王立紅
地址 362343福建省泉州市南安市石井鎮(zhèn)院前村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，該半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括支架、發(fā)光元件和反射層；支架包括底座和側(cè)板；底座具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面，側(cè)板沿底座的周向布置在第一表面上；底座和側(cè)板圍合成一個用于容納發(fā)光元件的空腔；側(cè)板靠近空腔一側(cè)的側(cè)壁為側(cè)板內(nèi)壁；發(fā)光元件設(shè)置在第一表面上；反射層覆蓋側(cè)板內(nèi)壁的全部區(qū)域或者部分區(qū)域，在與第一表面垂直的方向上反射層的高度H2等于或大于側(cè)板的高度H1的90％。本申請通過設(shè)計側(cè)板的內(nèi)壁結(jié)構(gòu)保證反射層能夠堆疊至側(cè)板的90％高度處或者更高處，增強反射層對于發(fā)光元件的側(cè)壁出光的反射能力，減小支架對側(cè)壁出光的吸收，并提高半導(dǎo)體發(fā)光裝置的出光效率。