一種發(fā)光二極管封裝結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023090586.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213845309U 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN213845309U 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L33/48（2010.01）I;H01L33/52（2010.01）I;H01L33/56（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林秋霞;劉健;黃森鵬;余長治;徐宸科 申請（專利權）人 泉州三安半導體科技有限公司
代理機構 北京漢之知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 高園園
地址 362343福建省泉州市南安市石井鎮(zhèn)院前村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種發(fā)光二極管封裝結構，該發(fā)光二極管封裝結構包括：基板，位于基板上的LED芯片和第一封裝層，以及位于第一封裝層外圍的第二封裝層。第一封裝層為氟材料，能夠更好地抵御紫外光線的破壞，同時氟材料的透射率比較高，能夠提高LED的出光率；在第一封裝層外圍設置第二封裝層，可以避免切割時在封裝材料的側壁處留下毛邊殘留，同時能夠加強基板與封裝材料的結合力，提高結構的氣密性。本實用新型所述的發(fā)光二極管封裝結構，能夠更好地抵御紫外光線的破壞，提高LED的出光率，結構平整光滑，氣密性好，使用壽命也能夠得到提高。