一種半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202080007340.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113228310A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113228310A 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L33/20（2010.01）I;H01L33/22（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林宗民;黃苡叡;張中英;鄧有財 申請（專利權(quán)）人 泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 362343福建省泉州市南安市石井鎮(zhèn)院前村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種LED芯片及其制作方法，通過激光減薄LED芯片的襯底，然后進(jìn)行隱形切割將芯片分離開。所述LED芯片的襯底背面具有激光減薄襯底過程中形成的粗化結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可解決現(xiàn)有化學(xué)機械研磨工藝減薄透明襯底厚度至小于80μm時出現(xiàn)的翹曲嚴(yán)重，邊緣崩邊引起的破片問題；同時所述LED芯片的襯底表面具有激光減薄襯底過程形成的粗化結(jié)構(gòu)，可增強出光，提升發(fā)光亮度。