LED封裝器件及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202180001629.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113302757A | 公開(公告)日 | 2021-08-24 |
申請公布號 | CN113302757A | 申請公布日 | 2021-08-24 |
分類號 | H01L33/54(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳順意;黃森鵬;李達誠;時軍朋;余長治;徐宸科 | 申請(專利權(quán))人 | 泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 王立紅 |
地址 | 362343福建省泉州市南安市石井鎮(zhèn)院前村 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請公開了一種LED封裝器件及其制備方法。該封裝器件包括封裝基板、LED芯片和封裝層,LED芯片設(shè)在封裝基板的固晶區(qū),并位于封裝層和封裝基板之間;LED芯片外圍的封裝層配置有臺階結(jié)構(gòu),臺階結(jié)構(gòu)中的臺階按照自上至下順序定義為第1臺階、第2臺階、第n臺階;每個臺階均包括臺階面與豎向面,第1臺階的豎向面與LED芯片之間的最大水平距離小于第n臺階的豎向面與LED芯片之間的水平距離。本申請將LED芯片外圍的封裝層配置為臺階結(jié)構(gòu),減小LED芯片側(cè)壁處封裝層厚度,以減小封裝層的應(yīng)力釋放,提高該封裝器件的可靠性。同時,由于LED芯片側(cè)壁處封裝層厚度的減小,則LED芯片側(cè)壁處封裝層能夠減小對LED芯片出射光的吸收,提高LED芯片的出光亮度。 |
