一種半導體激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120878495.3 申請日 -
公開（公告）號 CN215119536U 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN215119536U 申請公布日 2021-12-10
分類號 H01S5/024（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 袁科;樊英民;王警衛(wèi);付團偉 申請（專利權）人 西安炬光科技股份有限公司
代理機構 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 張洋
地址 710000陜西省西安市高新區(qū)丈八六路56號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N半導體激光器，涉及半導體技術領域，包括芯片以及分別設在芯片兩側的正極散熱器和負極散熱器，正極散熱器和負極散熱器內均具有散熱通道，散熱通道內容置有可循環(huán)的冷卻液。冷卻液通過在散熱通道內循環(huán)流動，吸收芯片產生的熱量，與芯片進行熱交換，以完成對芯片的散熱。這種在芯片兩側均設置散熱結構的雙面散熱方式，其散熱效果相較于單面散熱，散熱能力更強。能有效降低半導體激光器的熱阻，提高整體的散熱能力，實現(xiàn)半導體激光器高功率激光輸出。這種熱交換的散熱方式，因其能對正極散熱器和負極散熱器本身進行散熱，使半導體激光器不僅可應用于水平陣列，還可應用于垂直陣列，以使半導體激光器的應用具有廣泛性。