一種磁控濺射裝置和磁控濺射設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821184166.3 申請日 -
公開（公告）號 CN208604202U 公開（公告）日 2019-03-15
申請公布號 CN208604202U 申請公布日 2019-03-15
分類號 C23C14/35（2006.01）I; C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李皓瑜; 劉宇翔; 張建紅; 朱之貞; 胡建明; 陳權; 楊津聽; 李坤倫; 柴大克; 孫勝凡; 丁潔; 周雄飛; 聶川濱; 楊紅飛; 俞云坤; 曾仁武 申請（專利權）人 昆明星眾科技孵化器有限公司
代理機構 北京科億知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 湯東鳳
地址 650000 云南省昆明市五華區(qū)教場西路39號42幢1-4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種磁控濺射裝置，包括真空室、自轉電機、中齒輪、減速箱、公轉電機、靶基距調控箱和磁控濺射靶，自轉電機輸出端進入真空室內與中齒輪嚙合的小齒輪連接，中齒輪上固定安裝一個齒輪組，齒輪組兩邊嚙合連接自轉齒輪，自轉齒輪上安裝自轉軸，自轉軸頭端安裝工件架；公轉電機輸出端與安裝在真空室外頂部中間的減速箱連接，減速箱與公轉軸連接，真空室底部安裝有抽氣孔、磁控濺射靶、充氣孔及加熱器，磁控濺射靶上安裝靶基距調控箱?？蓪崿F(xiàn)工件的自轉與公轉，且靶基距、偏心距及轉速比均可調節(jié)，裝置整體結構簡單、設計合理新穎、功能全面，為小靶材大基片多工位磁控濺射鍍膜膜厚均勻性的研究與分析奠定基礎。