一種晶圓級芯片尺寸原子蒸汽腔封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310518366.3 申請日 -
公開（公告）號 CN104555905A 公開（公告）日 2015-04-29
申請公布號 CN104555905A 申請公布日 2015-04-29
分類號 B81C3/00(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 王逸群;姜春宇;付思齊;林文魁;王德穩(wěn);張寶順 申請（專利權(quán)）人 中科泰菲斯（武漢）技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市科進(jìn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;中科泰菲斯（武漢）技術(shù)有限公司
地址 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及MEMS器件制造領(lǐng)域，具體公開一種晶圓級芯片尺寸的原子蒸汽腔封裝方法，包括步驟：S1通過陽極鍵合，將第一鍵合玻璃與帶有通孔的硅晶圓的一側(cè)表面鍵合，使得通孔形成各自獨立的預(yù)成型腔；S2在部分預(yù)成型腔中，置入堿金屬蒸汽反應(yīng)物；S3通過氣密膠鍵合，在緩沖氣體存在下將第二鍵合玻璃與硅晶圓的另一側(cè)外環(huán)鍵合，形成氣密的預(yù)腔室；S4升溫以使堿金屬蒸汽反應(yīng)物反應(yīng)產(chǎn)生堿金屬蒸汽；S5通過陽極鍵合使第二鍵合玻璃與硅晶圓的另一側(cè)表面鍵合，形成各自獨立封閉的原子蒸汽腔；以及S6劃片，未置入堿金屬蒸汽反應(yīng)物的腔即為晶圓級芯片尺寸的原子蒸汽腔。本發(fā)明的封裝方法，完全兼容傳統(tǒng)制造工藝，兼具單腔室的體積優(yōu)勢和雙腔室蒸汽純度高的優(yōu)勢。