一種晶圓級(jí)芯片尺寸原子蒸汽腔封裝方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310518366.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104555905B 公開(kāi)（公告）日 2016-04-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN104555905B 申請(qǐng)公布日 2016-04-27
分類號(hào) B81C3/00(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 王逸群;姜春宇;付思齊;林文魁;王德穩(wěn);張寶順 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中科泰菲斯（武漢）技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市科進(jìn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;中科泰菲斯（武漢）技術(shù)有限公司
地址 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及MEMS器件制造領(lǐng)域，具體公開(kāi)一種晶圓級(jí)芯片尺寸的原子蒸汽腔封裝方法，包括步驟：S1通過(guò)陽(yáng)極鍵合，將第一鍵合玻璃與帶有通孔的硅晶圓的一側(cè)表面鍵合，使得通孔形成各自獨(dú)立的預(yù)成型腔；S2在部分預(yù)成型腔中，置入堿金屬蒸汽反應(yīng)物；S3通過(guò)氣密膠鍵合，在緩沖氣體存在下將第二鍵合玻璃與硅晶圓的另一側(cè)外環(huán)鍵合，形成氣密的預(yù)腔室；S4升溫以使堿金屬蒸汽反應(yīng)物反應(yīng)產(chǎn)生堿金屬蒸汽；S5通過(guò)陽(yáng)極鍵合使第二鍵合玻璃與硅晶圓的另一側(cè)表面鍵合，形成各自獨(dú)立封閉的原子蒸汽腔；以及S6劃片，未置入堿金屬蒸汽反應(yīng)物的腔即為晶圓級(jí)芯片尺寸的原子蒸汽腔。本發(fā)明的封裝方法，完全兼容傳統(tǒng)制造工藝，兼具單腔室的體積優(yōu)勢(shì)和雙腔室蒸汽純度高的優(yōu)勢(shì)。