多脈沖干涉Ramsey-CPT條紋的制備方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910063271.0 申請日 -
公開（公告）號 CN101656537B 公開（公告）日 2012-04-04
申請公布號 CN101656537B 申請公布日 2012-04-04
分類號 G01J3/45(2006.01)I;H03L7/26(2006.01)I;G01R33/032(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 張奕;云恩學;鄧威;趙劼成;顧思洪 申請（專利權）人 中科泰菲斯（武漢）技術有限公司
代理機構 武漢宇晨專利事務所 代理人 中國科學院武漢物理與數(shù)學研究所;中科泰菲斯（武漢）技術有限公司
地址 430071 湖北省武漢市武昌小洪山
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多脈沖干涉Ramsey-CPT條紋的制備方法及裝置，其步驟是：A、將直流電流和微波耦合進激光管；B、掃描直流得到多個多普勒吸收峰，將直流電流固定在最大峰對應電流；C、同步控制微波源掃描、2FSK調制，并控制光通斷；D、采集信號，數(shù)字解調。其裝置是：精密電流源、微波源分別與Bias-Tee相連，Bias-Tee、溫控A分別與VCSEL相連，光路中依次有光衰減片、AOM、87Rb原子蒸汽泡、光電池。AOM與AOM驅動相連。87Rb原子蒸汽泡外面是C場線圈和磁屏蔽，溫控B與87Rb原子蒸汽泡相連，光電池、PC分別與電流電壓轉換電路相連，F(xiàn)PGA分別與微波源、AOM驅動、PC、晶振相連。該條紋比一般的雙脈沖干涉Ramsey-CPT條紋的譜線寬度更窄，對比度更高，可應用于制造高性能的原子頻標。