MOS型過溫保護(hù)電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710021444.3 申請日 -
公開（公告）號 CN101102039A 公開（公告）日 2008-01-09
申請公布號 CN101102039A 申請公布日 2008-01-09
分類號 H02H7/20(2006.01) 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 易揚(yáng)波;陶平 申請（專利權(quán)）人 無錫博創(chuàng)微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 無錫博創(chuàng)微電子有限公司;蘇州博創(chuàng)集成電路設(shè)計有限公司
地址 214028江蘇省無錫市新區(qū)長江路21號信息產(chǎn)業(yè)園D座4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種MOS型過溫保護(hù)電路，包括：溫度信號采樣電路和窗口形成電路，溫度信號采樣電路，有一個NMOS管(M1)和一個二極管(D1)連接而成，用于檢測電路的溫度變化，窗口形成電路，由兩個NMOS管(M3、M4)和反向器(A1)連接而成，本發(fā)明電路具有以下優(yōu)點(diǎn)：第一，溫度信號采樣電路不使用采樣電阻，消除了過溫保護(hù)電路對采樣電阻精度的要求；第二，本方案過溫點(diǎn)和窗口的設(shè)計與MOS管的閾值電壓不相關(guān)，因此過溫保護(hù)的精度相對普通的過溫保護(hù)電路有了很大改善：第三，該電路不使用三極管，能廣泛應(yīng)用于MOS集成電路中。