MOS型過溫保護電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200720036138.2 申請日 -
公開（公告）號 CN201038745Y 公開（公告）日 2008-03-19
申請公布號 CN201038745Y 申請公布日 2008-03-19
分類號 H02H7/20(2006.01) 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 易揚波;陶平 申請（專利權）人 無錫博創(chuàng)微電子有限公司
代理機構 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 代理人 樓高潮
地址 214028江蘇省無錫市新區(qū)長江路21號信息產(chǎn)業(yè)園D座4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種MOS型過溫保護電路，包括：溫度信號采樣電路和窗口形成電路，溫度信號采樣電路，有一個NMOS管(M1)和一個二極管(D1)連接而成，用于檢測電路的溫度變化，窗口形成電路，由兩個NMOS管(M3、M4)和反向器(A1)連接而成，本實用新型電路具有以下優(yōu)點：第一，溫度信號采樣電路不使用采樣電阻，消除了過溫保護電路對采樣電阻精度的要求；第二，本方案過溫點和窗口的設計與MOS管的閾值電壓不相關，因此過溫保護的精度相對普通的過溫保護電路有了很大改善；第三，該電路不使用三極管，能廣泛應用于MOS集成電路中。