MOS型過溫保護(hù)電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710021444.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN100502191C 公開（公告）日 2009-06-17
申請公布號(hào) CN100502191C 申請公布日 2009-06-17
分類號(hào) H02H7/20(2006.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 易揚(yáng)波;陶平 申請（專利權(quán)）人 無錫博創(chuàng)微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 樓高潮
地址 214028江蘇省無錫市新區(qū)長江路21號(hào)信息產(chǎn)業(yè)園D座4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種MOS型過溫保護(hù)電路，包括：溫度信號(hào)采樣電路和窗口形成電路，溫度信號(hào)采樣電路，有一個(gè)NMOS管(M1)和一個(gè)二極管(D1)連接而成，用于檢測電路的溫度變化，窗口形成電路，由兩個(gè)NMOS管(M3、M4)和反向器(A1)連接而成，本發(fā)明電路具有以下優(yōu)點(diǎn)：第一，溫度信號(hào)采樣電路不使用采桿電阻，消除了過溫保護(hù)電路對(duì)采樣電阻精度的要求；第二，本方案過溫點(diǎn)和窗口的設(shè)計(jì)與MOS管的閾值電壓不相關(guān)，因此過溫保護(hù)的精度相對(duì)普通的過溫保護(hù)電路有了很大改善；第三，該電路不使用三極管，能廣泛應(yīng)用于MOS集成電路中。