集成增強(qiáng)型和耗盡型垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200710134474.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101159267A 公開（公告）日 2008-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN101159267A 申請(qǐng)公布日 2008-04-09
分類號(hào) H01L27/088(2006.01);H01L21/76(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 易揚(yáng)波;劉俠;李海松 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫博創(chuàng)微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 無錫博創(chuàng)微電子有限公司;蘇州博創(chuàng)集成電路設(shè)計(jì)有限公司
地址 214028江蘇省無錫市無錫新區(qū)長(zhǎng)江路21號(hào)信息產(chǎn)業(yè)園D座4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種集成增強(qiáng)型和耗盡型垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管，包括重?fù)诫sN型襯底，在N型襯底上設(shè)置有N型外延，在N型外延上設(shè)置有增強(qiáng)型垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管，在所述的增強(qiáng)型垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管之間設(shè)有一隔離結(jié)構(gòu)，該隔離結(jié)構(gòu)包括浮置P型阱、二氧化硅介質(zhì)層以及多晶硅場(chǎng)板，所述的浮置P型阱設(shè)置在N型外延上，所述的二氧化硅介質(zhì)層設(shè)置在浮置P型阱的上端，所述的多晶硅場(chǎng)板設(shè)置在二氧化硅介質(zhì)層中。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用隔離機(jī)構(gòu)將增強(qiáng)型和耗盡型兩種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊芯片內(nèi)，更有利系統(tǒng)的集成和小型化。