耗盡型終端保護結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200610096438.X 申請日 -
公開（公告）號 CN100440505C 公開（公告）日 2008-12-03
申請公布號 CN100440505C 申請公布日 2008-12-03
分類號 H01L23/58(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 易揚波;李海松 申請（專利權(quán)）人 無錫博創(chuàng)微電子有限公司
代理機構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 無錫博創(chuàng)微電子有限公司;蘇州博創(chuàng)集成電路設(shè)計有限公司
地址 214028江蘇省無錫市新區(qū)長江路21號信息產(chǎn)業(yè)園D棟4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于保護功率集成電路或功率器件的耗盡型終端保護結(jié)構(gòu)，包括：重摻雜N型襯底，在重摻雜N型襯底上設(shè)有輕摻雜N型外延，在輕摻雜N型外延上設(shè)有重摻雜N型截止環(huán)及用于設(shè)置功率集成電路或功率器件原胞的腔體，在輕摻雜N型外延的重摻雜N型截止環(huán)及原胞腔體以外的區(qū)域上方設(shè)有場氧化層，在場氧化層上方設(shè)有多晶場板，在場氧化層、重摻雜N型截止環(huán)及多晶場板上覆有介質(zhì)層，在重摻雜N型截止環(huán)及多晶場板上分別連接有金屬引線，輕摻雜N型外延上設(shè)有接零電位的輕摻雜P型阱，該輕摻雜P型阱位于場氧化層的下面且位于重摻雜N型截止環(huán)與原胞腔體之間。