耗盡型終端保護(hù)結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200610096438.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN1929126A 公開(kāi)（公告）日 2007-03-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN1929126A 申請(qǐng)公布日 2007-03-14
分類(lèi)號(hào) H01L23/58(2006.01) 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 易揚(yáng)波;李海松 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 無(wú)錫博創(chuàng)微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 無(wú)錫博創(chuàng)微電子有限公司;蘇州博創(chuàng)集成電路設(shè)計(jì)有限公司
地址 214028江蘇省無(wú)錫市新區(qū)長(zhǎng)江路21號(hào)信息產(chǎn)業(yè)園D棟4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于保護(hù)功率集成電路或功率器件的耗盡型終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括：重?fù)诫sN型襯底，在重?fù)诫sN型襯底上設(shè)有輕摻雜N型外延，在輕摻雜N型外延上設(shè)有重?fù)诫sN型截止環(huán)及用于設(shè)置功率集成電路或功率器件原胞的腔體，在輕摻雜N型外延的重?fù)诫sN型截止環(huán)及原胞腔體以外的區(qū)域上方設(shè)有場(chǎng)氧化層，在場(chǎng)氧化層上方設(shè)有多晶場(chǎng)板，在場(chǎng)氧化層、重?fù)诫sN型截止環(huán)及多晶場(chǎng)板上覆有介質(zhì)層，在重?fù)诫sN型截止環(huán)及多晶場(chǎng)板上分別連接有金屬引線(xiàn)，輕摻雜N型外延上設(shè)有接零電位的輕摻雜P型阱，該輕摻雜P型阱位于場(chǎng)氧化層的下面且位于重?fù)诫sN型截止環(huán)與原胞腔體之間。