一種P型晶體硅背面電極的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910529082.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110277459B 公開(kāi)（公告）日 2021-07-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN110277459B 申請(qǐng)公布日 2021-07-27
分類(lèi)號(hào) H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱鵬;楊貴忠;陳艷美;王葉青 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南通天盛新能源股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 226000江蘇省南通市南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)吉慶路28號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種P型晶體硅背面電極的制備方法，該背面電極的制備方法是：在P型晶體硅背面鈍化層上印刷全鋁漿，然后在全鋁漿上印刷線性中間層?玻璃漿，最后在線性中間層?玻璃漿上疊印背面銀電極，采用本方法制備的太陽(yáng)能電池，可以在不破壞鈍化層的同時(shí)，還可以保持與銀鋁接觸良好，也不影響導(dǎo)電性，本發(fā)明可以形成完整的全鋁背場(chǎng)提高了電極區(qū)域的場(chǎng)鈍化特性，減少載流子符合，沒(méi)有銀進(jìn)入硅基體，不會(huì)產(chǎn)生漏電，降低電池漏電流，提高光電轉(zhuǎn)換效率。