鈣鈦礦薄膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710557541.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107331778B 公開（公告）日 2020-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN107331778B 申請(qǐng)公布日 2020-02-18
分類號(hào) H01L51/48;H01L51/46 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田清勇;范斌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州協(xié)鑫能源技術(shù)發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 蘇州協(xié)鑫能源技術(shù)發(fā)展有限公司;蘇州協(xié)鑫納米科技有限公司;昆山協(xié)鑫光電材料有限公司
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)東長(zhǎng)路88號(hào)N3棟1-3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種鈣鈦礦薄膜的制備方法，其包括如下步驟：將前驅(qū)體溶液噴涂在基板上，形成液膜；所述前驅(qū)體溶液包括溶劑、以及溶解在所述溶劑中的鈣鈦礦材料；加熱所述基板以使所述液膜形成半干膜；將反溶劑噴涂在所述半干膜上以使所述半干膜晶化。上述鈣鈦礦薄膜的制備方法，采用噴涂的方式，薄膜的面積取決于噴涂時(shí)噴頭的行程范圍，故而可以制備出大面積的鈣鈦礦薄膜。另外，由于采用噴涂的方式，還可以避免因旋涂所帶來的邊緣波浪形起伏的問題。本發(fā)明還提供了一種鈣鈦礦薄膜。