一種基于集成電路進(jìn)行多層并聯(lián)的電容
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210185563.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114613863A | 公開（公告）日 | 2022-06-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114613863A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-10 |
| 分類號(hào) | H01L29/92（2006.01）I;H01L29/93（2006.01）I;H01L29/94（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 曾繁中;張汝京;鄒才明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京盛凡佳華專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 315000浙江省寧波市北侖區(qū)柴橋街道萬(wàn)景山路213號(hào)G幢四層1-1 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于集成電路進(jìn)行多層并聯(lián)的電容，包括若干并聯(lián)的電容和基板，所述電容設(shè)置于基板上方構(gòu)成第一并聯(lián)電容，所述電容設(shè)置于基板中構(gòu)成第二并聯(lián)電容；所述電容包括端電極、內(nèi)電極、介質(zhì)、金屬通孔，所述端電極包括第一端電極和第二端電極，所述內(nèi)電極包括若干層；所述第一金屬通孔設(shè)置于第一端電極頂部，所述第二金屬通孔設(shè)置于第二端電極頂部；本發(fā)明采用將基板做成PN結(jié)電容、MOS電容，接著做多層的大電容，集成在一起，同時(shí)改善高頻低頻特性；集成電路工藝機(jī)械應(yīng)力很小，半導(dǎo)體平面工藝，均勻性好，性能穩(wěn)定，多層并聯(lián)，適合制作大電容，大的電容一般高頻性能不好，而小容量電容則剛好相反，具有很好的高頻性能。 |
