一種基于集成電路進行多層并聯(lián)的電容

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210185563.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114613863A 公開（公告）日 2022-06-10
申請公布號 CN114613863A 申請公布日 2022-06-10
分類號 H01L29/92（2006.01）I;H01L29/93（2006.01）I;H01L29/94（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾繁中;張汝京;鄒才明 申請（專利權）人 寧波芯恩半導體科技有限公司
代理機構 北京盛凡佳華專利代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 315000浙江省寧波市北侖區(qū)柴橋街道萬景山路213號G幢四層1-1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于集成電路進行多層并聯(lián)的電容，包括若干并聯(lián)的電容和基板，所述電容設置于基板上方構成第一并聯(lián)電容，所述電容設置于基板中構成第二并聯(lián)電容；所述電容包括端電極、內(nèi)電極、介質(zhì)、金屬通孔，所述端電極包括第一端電極和第二端電極，所述內(nèi)電極包括若干層；所述第一金屬通孔設置于第一端電極頂部，所述第二金屬通孔設置于第二端電極頂部；本發(fā)明采用將基板做成PN結電容、MOS電容，接著做多層的大電容，集成在一起，同時改善高頻低頻特性；集成電路工藝機械應力很小，半導體平面工藝，均勻性好，性能穩(wěn)定，多層并聯(lián)，適合制作大電容，大的電容一般高頻性能不好，而小容量電容則剛好相反，具有很好的高頻性能。