一種制造光衰減器陣列的方法及光衰減器陣列

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510573202.X 申請日 -
公開（公告）號 CN105353469A 公開（公告）日 2016-02-24
申請公布號 CN105353469A 申請公布日 2016-02-24
分類號 G02B6/26(2006.01)I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 王文輝;鐘桂雄;鄧江東;李四華;施林偉;李維 申請（專利權(quán)）人 深圳市盛喜路科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 518000 廣東省深圳市福田區(qū)彩田路西紅荔路南中銀花園辦公樓A樓22A、B、Ca、Cb、D、E-E8
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于MEMS工藝制造光衰減器陣列的方法，在硅基光學(xué)平臺上進行封裝，輸入光纖和輸出光纖分別位于VOA芯片的兩端，其特征在于所述VOA芯片下半部具有掏空部分，所述掏空部分可供光纖通過，所述輸入光纖和輸出光纖的端面直接耦合。以及一種光衰減器陣列。該制作方法和得到的光衰減器陣列封裝結(jié)構(gòu)更簡單，組裝工藝簡單可靠、穩(wěn)定可控，成本低。