快速恢復外延二極管用雙層硅外延片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210240112.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114628243A 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN114628243A 申請公布日 2022-06-14
分類號 H01L21/205（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B25/18（2006.01）I;C30B25/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周曉龍;陳秉克;薛宏偉;袁肇耿 申請（專利權(quán)）人 河北普興電子科技股份有限公司
代理機構(gòu) 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 -
地址 050200河北省石家莊市鹿泉經(jīng)濟開發(fā)區(qū)昌盛大街21號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種快速恢復外延二極管用雙層硅外延片的制備方法，屬于半導體材料制備技術(shù)領(lǐng)域，方法包括硅襯底片的預處理：外延前對選用的硅襯底片進行清洗、拋光，并在拋光時，外延腔室內(nèi)溫度升溫至1030～1060℃；外延生長：在外延腔室內(nèi)通入三氯氫硅作為硅源，外延腔室內(nèi)溫度保持1030～1060℃；在硅襯底片上低速生長本征外延層；在外延腔室內(nèi)通入H2變流量吹掃1?3分鐘清理雜質(zhì)；在本征外延層上變高速生長摻雜磷烷的第一層外延層；再次通入H2變流量吹掃1?3分鐘清理雜質(zhì)；改變摻雜流量，在第一層外延層上高速生長摻雜磷烷的第二層外延層。本發(fā)明能夠生長出理想的平坦外延層，提高硅外延片均勻性和二極管的電學性能。