一種DDR3信號(hào)末端的端接結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202220948965.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN217035143U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN217035143U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-22 |
| 分類(lèi)號(hào) | G11C7/10（2006.01）I;H03K19/0175（2006.01）I;G11C5/14（2006.01）I | 分類(lèi) | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 董一志;周偉楊;曹戎格 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 北斗星通智聯(lián)科技有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 401120重慶市渝北區(qū)玉峰山鎮(zhèn)桐桂大道3號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NDDR3信號(hào)末端的端接結(jié)構(gòu)，涉及車(chē)載設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括：一個(gè)電阻和一個(gè)電容，其中，所述電阻的一端通過(guò)一片或多片串聯(lián)的DDR3，與系統(tǒng)級(jí)芯片連接，所述電阻的另一端和電容連接；所述電阻的阻值為50歐姆；所述電容的電容值為100uf。本申請(qǐng)?jiān)诓挥绊慏DR信號(hào)質(zhì)量的前提下，降低了硬件成本。 |
