LED制備工藝
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010077300.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111244233A | 公開（公告）日 | 2020-06-05 |
| 申請公布號 | CN111244233A | 申請公布日 | 2020-06-05 |
| 分類號 | H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 孫蕾蕾 | 申請（專利權(quán)）人 | 江蘇明納半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 224700 江蘇省鹽城市建湖縣高新區(qū)經(jīng)六路智慧產(chǎn)業(yè)園A區(qū)3#樓3-4層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種LED制備工藝，包括提供一襯底；對襯底進(jìn)行高溫處理；依次形成緩沖層、未摻雜層、第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層；所述緩沖層包括依次形成在所述襯底上的第一緩沖層、第二緩沖層、第三緩沖層，所述第一緩沖層形成過程中溫度逐漸減低，所述第二緩沖層形成過程中溫度保持不變，所述第三緩沖層形成過程中溫度逐漸升高。本發(fā)明通過不同溫度下形成的多種晶體形態(tài)緩沖層，釋放了緩沖層自身的內(nèi)部應(yīng)力，最后形成的緩沖層表面也較普通緩沖層平滑，得到外延片表面形貌好，由于制備過程中充分利用了利用降溫和升溫階段，無需單獨(dú)的步驟形成，節(jié)省了制程時間，最后得到的LED結(jié)晶質(zhì)量好、缺陷密度低。?? |
