LED制備工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010077300.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111244233B 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN111244233B 申請公布日 2021-09-24
分類號 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫蕾蕾 申請（專利權）人 江蘇明納半導體科技有限公司
代理機構 北京華仁聯合知識產權代理有限公司 代理人 陶長清
地址 224700 江蘇省鹽城市建湖縣高新區(qū)經六路智慧產業(yè)園A區(qū)3#樓3-4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種LED制備工藝，包括提供一襯底；對襯底進行高溫處理；依次形成緩沖層、未摻雜層、第一半導體層、發(fā)光層、第二半導體層；所述緩沖層包括依次形成在所述襯底上的第一緩沖層、第二緩沖層、第三緩沖層，所述第一緩沖層形成過程中溫度逐漸減低，所述第二緩沖層形成過程中溫度保持不變，所述第三緩沖層形成過程中溫度逐漸升高。本發(fā)明通過不同溫度下形成的多種晶體形態(tài)緩沖層，釋放了緩沖層自身的內部應力，最后形成的緩沖層表面也較普通緩沖層平滑，得到外延片表面形貌好，由于制備過程中充分利用了利用降溫和升溫階段，無需單獨的步驟形成，節(jié)省了制程時間，最后得到的LED結晶質量好、缺陷密度低。