LED制備工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010077300.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111244233B 公開（公告）日 2021-09-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN111244233B 申請(qǐng)公布日 2021-09-24
分類號(hào) H01L33/00（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫蕾蕾 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇明納半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華仁聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陶長(zhǎng)清
地址 224700 江蘇省鹽城市建湖縣高新區(qū)經(jīng)六路智慧產(chǎn)業(yè)園A區(qū)3#樓3-4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種LED制備工藝，包括提供一襯底；對(duì)襯底進(jìn)行高溫處理；依次形成緩沖層、未摻雜層、第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層；所述緩沖層包括依次形成在所述襯底上的第一緩沖層、第二緩沖層、第三緩沖層，所述第一緩沖層形成過(guò)程中溫度逐漸減低，所述第二緩沖層形成過(guò)程中溫度保持不變，所述第三緩沖層形成過(guò)程中溫度逐漸升高。本發(fā)明通過(guò)不同溫度下形成的多種晶體形態(tài)緩沖層，釋放了緩沖層自身的內(nèi)部應(yīng)力，最后形成的緩沖層表面也較普通緩沖層平滑，得到外延片表面形貌好，由于制備過(guò)程中充分利用了利用降溫和升溫階段，無(wú)需單獨(dú)的步驟形成，節(jié)省了制程時(shí)間，最后得到的LED結(jié)晶質(zhì)量好、缺陷密度低。