一種半導(dǎo)體外延片生長(zhǎng)設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110408846.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112981526A 公開（公告）日 2021-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN112981526A 申請(qǐng)公布日 2021-06-18
分類號(hào) C30B25/08;C30B29/06 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 鄭國(guó) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海衍梓智能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海國(guó)瓴律師事務(wù)所 代理人 傅耀
地址 200240 上海市閔行區(qū)劍川路951號(hào)零號(hào)灣2號(hào)樓506
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體外延片生長(zhǎng)設(shè)備，包括基座、射頻電磁線圈、鐘罩、側(cè)隔板條、頂盤和墊片。其中，基座有三層硅片位，射頻電磁線圈包括12環(huán)銅線圈，頂盤直徑為5cm?50cm，墊片高度為2cm?9cm，射頻電磁線圈位于鐘罩外部并環(huán)繞基座，墊片連接基座和所述頂盤。其中本發(fā)明的有益效果是：原有的外延片生長(zhǎng)設(shè)備僅能在基座上放兩層硅片位，本設(shè)備可以設(shè)置三層硅片位，提高了50％的產(chǎn)能；且實(shí)現(xiàn)外延層厚度均勻度<3％,電阻率均勻度<4％,爐內(nèi)均勻度<5％，良率達(dá)到88％以上的生產(chǎn)要求。